-Kioxia Corporation是全球內(nèi)存解決方案領域的領導者，于今天宣布其員工發(fā)明了高密度三維閃存存儲設備及其制造方法，并獲得了日本文部科學省頒發(fā)的科技獎。該技術(shù)大大提高了存儲容量，并降低了制造成本。

每年，日本文部科學省都會將該獎項頒發(fā)給在研發(fā)領域取得杰出成就，并提高了公眾對日本科技認知的個人。

Kioxia獲獎者有：

· Ryota Katsumata：內(nèi)存事業(yè)部高級內(nèi)存開發(fā)中心總經(jīng)理助理

· Masaru Kito：內(nèi)存事業(yè)部高級內(nèi)存開發(fā)中心組長

· Hideaki Aochi：內(nèi)存技術(shù)研發(fā)所設備技術(shù)研發(fā)中心高級專家

· Masaru Kido：內(nèi)存開發(fā)戰(zhàn)略事業(yè)部首席專家

· Hiroyasu Tanaka：內(nèi)存開發(fā)戰(zhàn)略事業(yè)部首席專家

獲獎技術(shù)概覽

閃存技術(shù)已經(jīng)廣泛應用于數(shù)據(jù)存儲的各個領域，包括智能手機和數(shù)據(jù)中心。預計，閃存技術(shù)的需求將會繼續(xù)增長。

此次獲獎的三維閃存技術(shù)是一種突破性的方法，大大簡化了垂直堆疊存儲單元的制造工藝，實現(xiàn)了高密度的三維閃存存儲。傳統(tǒng)堆疊方法需要重復的沉積和構(gòu)圖工藝來制造存儲單元陣列，而這項獲獎技術(shù)采用的方法是先堆疊存儲單元的材料，然后使用一次性構(gòu)圖工藝同時制作每個單元，從而顯著減少了工藝步驟。隨著傳統(tǒng)二維閃存中微型化技術(shù)的發(fā)展趨于物理極限，越來越多的市場主導產(chǎn)品開始采用大容量、高性能的三維閃存技術(shù)。自從2015年開始商業(yè)化三維閃存BiCS FLASH™以來，Kioxia一直致力于提高堆疊密度。上個月，Kioxia發(fā)布了其218層大容量、高性能三維閃存技術(shù)BiCS FLASH™。

這項三維閃存技術(shù)還在2020年獲得了國家發(fā)明獎的帝國發(fā)明獎項，并在2021年獲得了IEEE Andrew S. Grove獎。

Kioxia以“存儲”助力世界發(fā)展的使命為指導，致力于通過研究和技術(shù)發(fā)展，為世界各地的人們創(chuàng)造價值。

關(guān)于Kioxia

Kioxia是全球存儲器解決方案領域的領軍企業(yè)，致力于閃存和固態(tài)硬盤(SSD)的開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月從Toshiba Corporation（1987年發(fā)明了NAND閃存）剝離出來。Kioxia致力于憑借存儲器技術(shù)促進世界發(fā)展，該公司提供各種產(chǎn)品、服務和系統(tǒng)，為客戶提供多樣化選擇，并基于存儲器技術(shù)創(chuàng)造價值，推動社會的發(fā)展。Kioxia創(chuàng)新的3D閃存技術(shù)BiCS FLASH™正在塑造存儲技術(shù)在高密度應用領域（包括高級智能手機、PC、SSD、汽車和數(shù)據(jù)中心）的未來。